碳化硅行业正经历一轮完整的“下行—筑底—反转”周期，前期市场价格竞争加速行业洗牌，低端产能逐步出清，自2025年第四季度起出现拐点信号，市场供需在2026年完成V形反转，行业头部企业进入集中度提升窗口，碳化硅迎来“量价齐升”的新空间。行业调研机构报告显示，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约300亿元，到2030年有望突破千亿元，年均增长速度超过25%，中国已成为全球重要的功率半导体应用市场之一，国内涌现出一批优秀企业，正加速国产替代进程并有望取得行业领先优势。

应用场景持续扩容 第二增长曲线成型

　　碳化硅已率先在功率半导体领域完成应用验证，“在功率半导体领域逐步替代硅基器件”已成为行业普遍共识。除新能源汽车以外，智算中心、光伏储能、工业电源、家用电器等领域也同步放量，碳化硅渗透率快速提升。过去很长一段时间，市场对碳化硅的认知始终局限在新能源汽车电驱系统的升级里，认为其增长空间完全绑定车市渗透率，但AI算力产业的爆发式增长，彻底改写了碳化硅的成长曲线。

　　AI算力需求爆发，已成为碳化硅的第二增长曲线，带来了不亚于新能源汽车的成长空间。行业预测，2030年AI基础设施将成为碳化硅市场最主要的增量来源。传统硅基器件在1000W+高热流密度下会面临严重的热失控与效率衰减，直接推升PUE值造成大量电力消耗，随着机柜功率迈向MW级，碳化硅凭借宽禁带、耐高压、极高热导率的物理特性，在800V高压和固态变压器架构中，能够实现99%的转换效率，将散热需求降低50%。

　　2026年被业界公认为固态变压器商业化元年，国内头部云厂商新建智算中心固态变压器渗透率预计年内超30%，单台固态变压器需要300到500颗碳化硅MOSFET或二极管，这一全新应用场景直接拉动碳化硅器件需求快速上行，打破了市场过去仅将碳化硅视作新能源车配套材料的认知，碳化硅正从“单车渗透”向“全域爆发”转变。

大尺寸工艺迭代 决定全球行业格局走向

　　制造工艺的持续迭代，从6英寸到8英寸晶圆的切换，是降低成本、提升产能的关键路径，将决定未来的全球行业格局走势。过去几年行业盲目跟进6英寸通用衬底导致产能过剩，价格战惨烈，但AI服务器对衬底的位错密度和电学均一性有着严苛要求，只有8英寸及更高规格的衬底才能达标，当前8英寸衬底供给紧张，全球仅有少数龙头企业能在大尺寸上实现高质量规模量产。

　　国内企业正加快布局8英寸碳化硅晶圆的开发及量产，多家产业链企业都在推进相关项目落地。衬底环节，头部企业正全力冲刺8英寸产品量产，相关扩产计划持续推进，还联合多家伙伴签下战略协议，打通从材料到车规应用的全链条，部分企业旗下年产60万片8英寸项目也在加速投产，海外布局的工厂也在推进建设，目标直指AI和新能源的爆发需求。

　　从实际生产场景来看，8英寸晶圆相比6英寸晶圆，单块衬底上能够切割出的芯片数量大幅提升，单位芯片的制造成本可以得到明显摊薄，同时也能更好适配下游大电流、高功率的器件设计需求。不过8英寸衬底的核心壁垒在于长晶稳定性与良率控制，良率爬坡至稳定盈利需要2到4年时间，产能释放速度慢于需求增速，这也让率先完成8英寸量产布局的企业获得了明显的先发优势。

行业洗牌加速 头部集中趋势显现

　　国内碳化硅材料、芯片赛道正经历一轮大浪淘沙式的竞争洗牌，目前国内相关企业数量达上百家，一些三四线城市也相继上马碳化硅项目。叠加前期激烈的价格战、新能源汽车供应链持续的降价传导压力，行业新进入者数量已明显减少，低端产能逐步出清，上百家经营主体中长期或将收敛至少数头部企业。

　　2025年，6英寸衬底均价一度从年初的4000元/片至4500元/片降至2000多元/片，部分散货甚至出现1800元/片的极端报价，大量缺乏技术和成本优势的中小厂商逐步退出，头部企业则凭借规模和技术优势迎来集中度提升的窗口期。当前行业呈现出明显的结构性供需分化，普通工业级6英寸衬底供给充足，价格低位震荡，车规级高良率6英寸衬底、8英寸大尺寸衬底供给紧张，头部衬底厂商产能利用率超过90%，产品交付周期拉长，价格企稳回升。

　　放眼全球，碳化硅赛道格局在加速重塑，中国凭借全产业链配套、本土新能源市场优势，产能规模与市场份额快速抬升，碳化硅产业后续竞争格局或走向中、美、欧、日、韩等多极竞逐。半导体集成电路是典型的“长周期、重投入”产业，从“1到N”的产业化阶段，产品常面临“首用难”的现实问题，海外厂商拥有几十年的品牌、技术、案例积累，在市场上拥有较大话语权。

　　今天的国产芯片已经不缺技术，缺的是第一个愿意率先应用的客户。如果可以在政策层面引导头部企业提供示范应用场景，对提高国产芯片应用比例给予更多支持，将有效打通国产碳化硅芯片从实验室走向大规模商用的最后一道关卡。不少行业从业者都在关注，首台套应用的相关支持政策能否进一步向碳化硅这类第三代半导体产品倾斜，帮助国产芯片快速积累实际运行数据和市场口碑。

产业发展配套建议 培育全球核心增长极

　　面对新的发展趋势，国内半导体产业已经在多个环节提前布局，不少企业加快8英寸碳化硅晶圆的开发及量产，针对智算中心的高功率密度需求，推出系列化碳化硅MOSFET单管及模块，可广泛应用于高压直流输电、固态变压器、服务器电源等场景，部分企业还借助国际资本市场平台，把握海外市场机遇。

　　行业普遍建议，支持国内半导体领先企业通过市场化方式开展海内外投资并购，培育百亿产值头部企业，并鼓励民营半导体企业代表中国积极参与国际标准规则与市场竞争。尽管当前国产替代的空间依然很大，但可以预见在不久的将来，会有越来越多的国内企业选择出海，主动参与国际竞争，在全球市场中争取更多话语权。

　　与此同时，行业也提出建议，发挥粤港澳大湾区综合优势，探索深圳研发加湾区制造加香港融资加国际市场模式，将其打造为全球半导体产业核心增长极。依托深圳在半导体研发领域的人才和技术积累，联动粤港澳大湾区内完善的高端制造产业链，借助香港的国际融资平台优势，对接全球市场资源，形成从技术研发、规模化生产到资本支持、市场拓展的完整闭环，为碳化硅产业的长期发展提供有力支撑。

(编辑：曲昂)